二號碳化矽生長爐的控制室裡，空氣彷彿凝固了。

林海緊盯著螢幕上那條緩慢爬升的晶體生長模擬曲線，以及旁邊即時反饋的、經過特殊演算法處理的“熱場不對稱度”指標。他的手指懸在緊急停止按鈕上方，手心裡全是汗。陸晨站在他側後方，沉默地注視著一切。

爐內，按照精心設計的“緩傾斜熱場”方案，晶體生長正進入最關鍵的中期。透過微調加熱線圈的功率分佈，爐內空間形成了一種穩定的、偏向東南方向約5%的溫度梯度。這個梯度被嚴格控制在安全範圍內，目的是驗證“缺陷定向遷移”理論，而非追求晶體完美。

“晶體生長介面推進穩定，邊緣監測點未發現異常應力積聚。”操作員低聲報告，聲音在寂靜的控制室裡格外清晰。

“雜質濃度監測資料？”林海問，眼睛沒離開主螢幕。

“X射線熒光顯示，爐內氣相中特定雜質元素的濃度，在東南側區域確實比西北側高出約18%。符合模擬預測，雜質正在被熱流‘驅趕’。”

初步跡象良好。但林海和陸晨都清楚，真正的考驗在於晶體內部。那些肉眼和常規監測無法直接看到的缺陷，是否真的如理論所料，被“擠”到了預設的邊緣廢棄區？

時間一分一秒過去，生長過程平穩得令人心焦。預定的36小時生長週期進入最後六小時。

突然，負責監測晶體內部應力分佈的中子衍射儀發出了一聲輕微的報警音。螢幕一角，代表晶體內部剪下應力的色塊圖，在靠近西北側的某個區域，顏色由代表安全的淡綠，逐漸轉向警示的淺黃。

“應力集中點出現，位置偏離預測區域。”操作員的聲音緊張起來。

林海立刻調取該區域的微觀熱場模擬資料。“這裡的實際熱流速度比我們計算模型快了0.3個毫秒每釐米……是原材料純度區域性微波動導致的嗎？”他快速進行反向計算，“不對，這個應力型別……是滑移位錯的早期特徵！熱場傾斜與晶體本身的固有生長臺階發生了非預期耦合！”

“嚴重嗎？需要干預嗎？”陸晨沉聲問。滑移位錯一旦形成並擴充套件，會嚴重影響晶體的電學效能，這爐晶體的價值將大打折扣。

林海額頭滲出細密的汗珠，大腦飛速權衡。“現在緊急調整熱場，可能會引發更大的介面失穩，甚至導致晶體開裂。目前的應力水平還在可控範圍……我建議，按原計劃完成生長，但記錄下這個意外。這爐晶體的核心目標是驗證‘缺陷分佈可控’，而不是長出完美晶體。這個意外的滑移位錯，本身就是一個極其寶貴的‘非設計缺陷’樣本，它能告訴我們，在傾斜熱場下，晶體內部響應的複雜性和風險點在哪裡！”

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